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开放式电阻抗成像建模及其仿真

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为克服封闭式电阻抗成像电极位置不确定性引入的图像重构误差,采用固定电极阵列的开放式电阻抗成像(open electrical impedance tomography,OEIT)模型.将求解整个开放场域电磁场边值问题,近似转化为局部的虚拟场域.通过仿真实验选取有效边界参数和电极阵列结构.利用有限元法求解OEIT的正问题,采用一步牛顿法进行图像重构.实验结果表明OEIT能够探测到目标位置、区域以及电导率的变化,重构图像较清晰.OEIT在浅层体表具有较好的分辨率和定位准确度,有一定的临床应用价值.

电阻抗成像、开放式电阻抗成像、封闭式电阻抗成像

32

TM152(电工基础理论)

国家高技术研究发展计划863计划2006AA02Z4B7

2009-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

731-735

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重庆大学学报(自然科学版)

1000-582X

50-1044/N

32

2009,32(7)

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