室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺

摘要：

ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响.实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0 sccm,射频功率400 W,Ar气为0.7 Pa,溅射时间为2.5 h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色.

关键词：ZnO:Al薄膜、磁控溅射、光电特性

所属期刊栏目：27

分类号：TB383;O484(工程材料学)

资助基金：重庆市科委科研项目2000-6214

在线出版日期：2004-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：97-99