ITO薄膜的光学和电学性质及其应用

摘要：

介绍了氧化铟锡(ITO)薄膜的光学和电学性质及应用.优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构.掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子.ITO薄膜载流子浓度为～1020cm-3,电阻率为～10-4Ωcm,是高度简并半导体,其能带为抛物线型结构.由于Burstein-Moss效应,光学能隙加宽.除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用.由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用.

关键词：氧化铟锡(ITO)薄膜、结构、能带、光学和电学性质

所属期刊栏目：25

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：114-117