Zr基块体非晶合金微通道阵列过冷液相区压印工艺
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10.11951/j.issn.1005-0299.20160358

Zr基块体非晶合金微通道阵列过冷液相区压印工艺

引用
本文利用Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5(Vit1)块体非晶合金对不同宽度的微通道阵列进行充填实验,并研究了形腔宽度、压印载荷与温度对微通道阵列充填高度的影响规律.实验结果表明,随着型腔宽度和压印载荷的增加,微通道充填高度逐渐上升.这就意味着较高的载荷和型腔宽度有利于Vit1块体非晶合金在微通道中了流动.成形温度由673 K上升至703 K时,微通道充填高度由9.1μm增加至46.6 μm;然而,当实验温度达到713 K时,微通道阵列的充填高度急剧下降至26.9 μm.XRD结果显示,在713 K下成形后的试样中存在大量亚稳态的晶化相,非晶基体中的晶化相会增大材料的流动阻力,从而降低其对微通道阵列的充填能力.因此,Vit1合金微通道阵列成形温度区间应控制在673~703 K.

Zr基块体非晶合金、Si模具、微通道阵列、压印、微成形性能

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TG146(金属学与热处理)

国家自然科学基金资助项目51375113;哈工大基础杰出人才培育计划Ⅲ类HIT.BRETⅢ.201404

2017-06-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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材料科学与工艺

1005-0299

23-1345/TB

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2017,25(2)

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