阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展

摘要：

硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器，但其小型化日益接近物理极限。阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一，近些年受到科学界和工业界的广泛关注。本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展，其中材料部分包括电极材料和存储介质，阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学，而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力。最后，对本领域的未来研究重点进行了展望。

关键词：阻变存储器、阳离子迁移、氧化还原反应、金属导电细丝、非易失性存储器

所属期刊栏目：24

分类号：TP333.8(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划资助项目2014AA032901；国家自然科学基金重点项目51231004．

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1-9