Cu/CuNi薄膜热电偶薄膜制备工艺优化研究
为使磁控溅射方法制备出性能良好的Cu/CuNi薄膜热电偶,在确定Cu、CuNi薄膜临界尺寸的基础上,以基底温度、靶基距、溅射功率、工作气压为因素进行正交试验,研究制备工艺对薄膜电阻率的影响。实验结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率大小的最主要因素,在一定范围内,温度越高,电阻率越小;确定了使Cu、CuNi薄膜电阻率最小的工艺条件。以薄膜电导理论为基础,结合薄膜微观结构和表面形貌,解释了薄膜电阻率随基底温度变化的原因。
薄膜热电偶、磁控溅射、临界尺寸、正交试验、电阻率
TP212.1(自动化技术及设备)
上海市教育委员会重点学科建设项目 J50503.
2014-11-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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