一个特殊单滑移取向铜单晶疲劳位错结构研究

摘要：

为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了Schmid因子为0.5的[4 18 41]单滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.实验表明,在单滑移铜单晶体中,胞结构除了在高应变幅下的循环变形中出现外,还可能出现在循环应力-应变(CSS)曲线平台区的较低塑性应变幅下.驻留滑移带(PSBs)会随应变幅的增大而在试样表面聚集成内部含有位错胞的粗滑移带,带内的位错胞结构被认为是由于带内滑移阻力增大引起的应变集中所致形成的.此外,CSS曲线高应变幅区起始部分对应的循环饱和位错结构观察揭示出迷宫结构和胞结构是由PSBs逐渐演变而成的.

关键词：铜单晶、循环变形、位错结构、SEM-ECC、驻留滑移带PSBs

所属期刊栏目：17

分类号：TG111.8(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50671023,50771029;教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目NCET-07-0162;教育部留学回国人员科研启动基金资助项目20071108-1

在线出版日期：2016-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：649-652,656