磁控溅射ITO薄膜的退火处理

摘要：

采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃～400℃)下退火处理.研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响.XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222).随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%.

关键词：薄膜、氧化铟锡(ITO)、退火、直流磁控溅射、方阻

所属期刊栏目：16

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：电子科技大学-渐江阳光集团联合OLED器件研发项目W050317

在线出版日期：2008-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：264-266