氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS探究

摘要：

为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O):n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.

关键词：ZnO/Si异质结构、氧离子束辅助PLD、X射线光电子能谱(XPS)

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分类号：O484.1;TN248.1;TN49(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划7150010162;中国地质大学北京校科研和校改项目200524

在线出版日期：2008-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：255-258,263