10.3969/j.issn.1005-0299.2007.06.028
以液态碳硅烷为先驱体制备CVD SiC涂层
合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析,以液态碳硅烷为先驱体在900 ℃、低压的条件下采用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层.实验结果表明,液态碳硅烷是以Si-C键为主链的数种低分子聚合物的混合物,分子组成中不含氧和腐蚀性元素,可通过分馏得到具有合适沸点的先驱体.涂层表面光滑且质硬,沉积产物为较纯的部分结晶的β-SiC.
碳硅烷、化学气相沉积、碳化硅、先驱体
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TQ174.6
国防科技预研项目41312011002
2008-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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