MoSi2发热元件冷热端扩散接合工艺的研究

摘要：

为了研究扩散接合工艺参数对二硅化钼发热元件冷热端的接合强度的影响,对接合端面状态、接合温度、保温时间、接合压力和接合气氛等工艺条件进行了对比分析,并根据接合部位的断裂强度和微观结构的研究结果,建立了在本实验条件下最佳发热元件冷热端扩散接合工艺条件:接合端面粗糙度为1.5 μm,接合温度1570～1600℃,保温时间30～60s,接合载荷15kg,接合气氛为氩气.

关键词：二硅化钼发热元件、扩散接合、微观组织、接合强度

所属期刊栏目：15

分类号：TG401(焊接、金属切割及金属粘接)

资助基金：国家自然科学基金50625414;国家自然科学基金50372078

在线出版日期：2007-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10