10.3969/j.issn.1005-0299.2003.04.010
离子束合成的钇硅化物结构相变研究
为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30 min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240℃,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2.
钇硅化物、离子注入、固相反应、原位方块电阻测量
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O484.4+2(固体物理学)
国家自然科学基金10175030;教育部优秀青年教师资助计划
2004-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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