脉冲偏压对等离子体沉积DLC膜化学结构的影响

摘要：

以乙炔为气源,用等离子体基脉冲偏压沉积(plasma based pulsd bias deposition缩写PBPBD)技术进行了不同负脉冲偏压条件下制备DLC膜的试验.通过X射线光电子谱(XPS)、激光喇曼光谱[Raman]以及电阻分析方法考察了负脉冲偏压幅值对DLC膜化学结构的影响.结果表明由-50 kV到-10 kV随负脉冲偏压降低,DLC膜中SP3键分数单调增加,但当脉冲偏压为0时形成高电阻的类聚合物膜,说明荷能离子的轰击作用是形成DLC化学结构的必要条件.键角混乱度和SP2簇团尺寸与脉冲偏压之间不具有单调关系,在中等幅值负脉冲偏压条件下,键角混乱度较大且SP2簇团尺寸细小.

关键词：脉冲偏压、DLC膜、化学结构

所属期刊栏目：10

分类号：O613.71;O484(无机化学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目97021312

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54