自蔓延高温合成氮化硅的生长机理

摘要：

通过放气法观察到了短棒状β-Si3N4以气-液-固(VLS)机制生长的中间形态．以气-液-固机制生长的β-Si3N4所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质，而非反应物中的金属杂质，或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等．在生长过程中，液相不断析出β-Si3N4，氧需在液-固中重新分配，使得液相中的氧逐渐减少，并得不到补偿，所以β-Si3N4长成短棒状．增加反应物中的氧含量，可以得到高长径比的β-Si3N4．氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中Si3N4的α相与β相的比例．

关键词：自蔓延高温合成、氮化硅、生长机理

所属期刊栏目：9

分类号：TB32;TQ174(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：64-67