10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.023
偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响
通过偏压微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD) 成功地在Si(100)上生长出具有[100]织构的金刚石薄膜.阐述了实验过程,讨论了偏压对 [100]织构金刚石薄膜成核与生长条件的影响,偏压有助于成核密度的提高和有利于[100 ]织构生长.采用SEM、Raman光谱等对所得样品进行了表征.
金刚石薄膜、MPCVD、偏压、织构生长
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TB43(工业通用技术与设备)
上海市自然科学基金915211115
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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