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10.11868/j.issn.1001-4381.2023.000156

氧化铟锡纳米晶薄膜的制备及其电致变色性能

引用
采用一锅法合成不同形貌、尺寸的氧化铟锡(ITO)纳米晶,并通过旋涂工艺制备 ITO 纳米晶薄膜,研究不同形貌、尺寸 ITO纳米晶制备的薄膜的近红外光谱调控性能.结果表明:5 次旋涂后,ITO 纳米晶薄膜的可见光透过率为89.2%,电阻率为 54 Ω·cm.平均直径为(6.88±1.53)nm的均匀球形 ITO纳米晶制备的薄膜表现出最优的近红外光谱调控能力,在施加±2.5 V电压后,其在 2000 nm的光谱调制量为 39.3%,光密度变化量为 0.43.在电致变色前后,ITO纳米晶薄膜始终保持高可见光透过率.ITO纳米晶的电致变色是由于电子注入/脱出导致的局域表面等离子体共振(LSPR)频率和强度变化引起,其电致变色过程是通过电容充放电实现的.

氧化铟锡、电致变色、纳米晶薄膜、智能窗

51

TQ15

国家自然科学基金;湖南省自然科学基金杰出青年基金项目;湖南省研究生科研创新项目

2023-08-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

215-221

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1001-4381

11-1800/TB

51

2023,51(8)

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