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10.11868/j.issn.1001-4381.2019.000986

自支撑三维多孔Cu@SnO2膜电极的制备及储锂性能

引用
针对传统电极制备中纳米活性材料负载量低的问题,采用非溶剂致相分离法和还原/烧结工艺继承高分子膜的三维多孔结构获得高负载自支撑三维多孔Cu@SnO2(3DCu@SnO2)膜电极.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和电化学工作站对自支撑膜电极的形貌、结构和电化学性能进行表征,明确了材料比例和烧结温度对自支撑膜电极结构和性能的影响.结果表明:铜粉含量60%(质量分数,下同)且经600℃烧结的膜电极拥有三维双连通多孔结构,SnO2负载量高达30%.在100 mA·g-1的电流密度下,可逆比容量可达715 mAh·g-1,循环50次后,仍可保持在433.9 mAh·g-1,电流密度增大到600 mA·g-1,其比容量保持率可达72%.与传统涂布电极相比3DCu@SnO2膜电极的电阻降低了70%.

非溶剂致相分离、三维双连通多孔结构、二氧化锡、膜电极

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TM912

国家自然科学基金;天津市新材料科技重大专项;天津市教委科研计划项目

2020-12-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

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2020,48(12)

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