非晶AlBN介质薄膜的制备及相关特性研究

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在GaN(002)上沉积非晶AlBN介质薄膜.利用X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(T EM)和X射线光电子能谱(XPS)等技术分别对介质薄膜的晶体结构、成分进行表征,并采用导电原子力显微镜(CAFM)以及I-V等测试手段对不同厚度薄膜的电学性质进行测试.结果表明:不同厚度的AlBN介质薄膜均为非晶,薄膜中B含量约为6.7％(原子分数).厚度为3 nm和18 nm的AlBN介质薄膜的表面粗糙度(Rq)分别为0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均匀,18 nm薄膜施加±10 V电压时,没有出现明显的漏电流.但在金属-介质-金属(M IM)结构中,18 nm薄膜结构中出现较大漏电流,漏电流密度在-2 V时约为-2×10-4 A/cm2.

关键词：AlBN、脉冲激光沉积、非晶薄膜

所属期刊栏目：48

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金联合基金项目;国家自然科学基金面上项目;江苏省重点项目

在线出版日期：2020-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：112-117