石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制备及其介电性能

摘要：

以聚乙烯基硅氮烷 (PVSZ) 为原料, 氧化石墨烯 (GO) 为碳源, 无水乙醇 (ETOH) 为分散剂, 制备石墨烯球增强SiCNO陶瓷 (SiCNO-GO) .利用拉曼光谱 (Raman) 、电子自旋共振 (EPR) 和扫描电子显微镜 (SEM) 等表征手段, 研究SiCNO-GO陶瓷结构对其介电性能的影响.结果表明:SiCNO-GO陶瓷的微球密度和粒径的大小与GO的含量有关;随着SiCNO-GO陶瓷中GO含量的增加, SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗也随之增大, 在GO含量为0.1％ (质量分数) 时达到最大值, 而当GO质量分数为0.3％时, SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗降低.

关键词：聚合物先驱体陶瓷、石墨烯、电学性能、制备

所属期刊栏目：47

分类号：TB332;TB321;TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金项目51675452;装备预研基金项目6140923020301;反应堆燃料及材料重点实验室基金6142A0604030817

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：8-14