不同氟源对FTO薄膜性能影响及其作用机理

摘要：

以SnCl4·5H2O为锡源,以不同氟的化合物如CF3COOH,HF和SnF2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO2 (Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF3COOH,HF和SnF2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光电性能的影响,系统地探讨了其作用机制.结果表明:3种氟源制备的FTO薄膜表面形貌分别为不规则多边形状、棒状以及金字塔状,且均呈四方金红石型结构.3种氟源中,以SnF2为氟源的SnO2薄膜综合性能较佳,其方块电阻为14.7Ω/□,红外反射率为86.1％.不同氟源的掺杂机制主要是F-和SnO2晶粒间的键合方式不同,或生成氟锡化合物的难易程度不同,一次掺杂的氟源(SnF2)制备的FTO薄膜性能优于二次掺杂的(HF)以及间接性掺杂的氟源(CF3COOH).

关键词：氟源、FTO薄膜、光电性能、作用机理

所属期刊栏目：46

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：山东省自然科学基金ZR2014JL032,ZR2012EM045

在线出版日期：2018-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64