SiC发光特性及其调控研究进展

摘要：

碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力.本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光特点,并对SiC发光调控的研究进展进行了探讨与展望.利用新兴技术手段,可实现对SiC发光光谱和发光效率等性质的调控.

关键词：碳化硅、宽禁带半导体、发光、发光调控

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50875006;北京市教委重点项目KZ201310005005

在线出版日期：2017-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：102-111