掺杂单层MoS2电子结构的第一性原理计算

摘要：

采用第一性原理研究Cu ，Ag ，Au掺杂单层MoS2的键长畸变、能带结构和态密度。探讨Cu ，Ag ，Au掺杂对单层MoS2电子结构的影响。结果表明：Cu ，Ag ，Au在S位掺杂的杂质能都低于在Mo位掺杂的杂质能，其在S位掺杂的体系的稳定性强于在Mo位掺杂的体系。在S位掺杂时，杂质与最近邻的Mo ，S原子的键长都发生了畸变，畸变率最大的是 dAu‐Mo ，达23．8％。与单层MoS2的超胞相比，掺杂体系的禁带中出现了4条新能级，导带和价带的能量向低能区移动。杂质原子周围存在着电荷聚集，同时也存在电荷损失。

关键词：M oS2、能带结构、态密度、掺杂、第一性原理

所属期刊栏目：44

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：重庆文理学院校级科研项目资助Z2015DQ07；永川区科委项目资助Ycstc ，2014nc4002；重庆市科学技术委员会基础与前沿研究计划资助项目cstc2014jcyjA00042；重庆市教委科技项目资助KJ1601128；重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室K F2016012

在线出版日期：2016-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：80-83