制备工艺参数对Cu表面Cu/Si梯度层断面显微组织的影响

摘要：

以Cu为基体,利用KCl-NaCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积出的硅作为渗硅硅源,电沉积硅和在Cu基体上渗硅同时进行,制备了Cu/Si梯度层.本工作就制备工艺参数对梯度层断面显微组织的影响进行了研究,结果表明:Cu/Si的梯度层断面由不同显微组织的表面层、中间层和过渡层构成,表面层是等轴晶组织,中间层是柱状晶组织；梯度层厚度随电沉积渗硅温度的升高、电沉积时间的延长而增厚,并且表面层晶粒、中间层晶粒均得到细化；电沉积时间延长,表面层厚度逐渐增大,中间层厚度逐渐减小；梯度层中,表面层金相相组织由(Cu)相、K相、γ相、η相和ε相中的一相或两相构成；中间层完全是(Cu)相.

关键词：Cu/Si梯度材料、工艺参数、显微组织、电沉积硅

分类号：TG178.1(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金项目50944050;河北省自然科学基金E20100000945

在线出版日期：2013-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：65-68,98