成型温度对多孔SiC陶瓷性能的影响

摘要：

以包混工艺合成了核-壳结构的先驱体粉体,并引入少量Al<,2>O<,3>,SiO<,2>和Y<,2>O<,3>作为复合添加剂,通过模压成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀系数、抗弯强度和热震性能的影响.结果表明:成型温度对多孔碳化硅陶瓷的孔隙率、密度、抗弯强度及热震性能均产生了显著影响,对热膨胀系数影响较小.在80℃成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳,过低的成型温度使包覆在核-壳结构先驱体粉体外层的钡酚醛树脂不能充分流动,使最终多孔碳化硅陶瓷样品结构松散、强度降低;而过高的成型温度使钡酚醛树脂过分流动,对添加剂粉体形成包覆再经过炭化后阻碍了添加粉体的充分接触,未能起到烧结助剂的作用.

关键词：碳化硅、多孔陶瓷、成型温度、包混工艺、复合添加

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金资助项目50802052

在线出版日期：2011-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61