10.3969/j.issn.1001-4381.2010.03.003
AgSnO_2触头材料电弧侵蚀特征的分子动力学模拟
研究电接触材料电弧侵蚀作用过程中灭弧过程的微观机理,采用分子动力学和实验的方法对反应合成的 AgSnO_2电接触材料的熔池行为进行模拟.结果表明:根据起弧时的物相所构建的模型,能够准确地模拟熔池特征,熔池内部物质运动和存在状态是决定耐电弧侵蚀的关键因素.可通过增加反应合成AgSnO_2电接触材料与基体浸润的氧化物组分,以及氧化物发生物态变化、化学分解过程来达到熄弧的目的.
AgSnO_2电接触材料、电弧侵蚀、分子动力学、熔池
TB333(工程材料学)
973前期研究专项2008CB617609;云南省自然科学基金2006E0019Q;昆明理工大学分析测试基金2009-002
2010-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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