多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究

摘要：

以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6～6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.

关键词：NO2气体传感器、多孔硅、灵敏度、孔隙率

分类号：TP212(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60371030,60771019

在线出版日期：2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74