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10.3969/j.issn.1001-4381.2008.08.003

用于MEMS热敏传感器中绝热层的多孔硅性能研究

引用
利用电化学方法制备了多孔硅,利用显微拉曼光谱法测量多孔硅样品的热导率和多孔硅中的残余应力,利用纳米压入测量仪测量多孔硅显微硬度与弹性模量.研究了多孔硅绝热性能和力学性能与微观结构的关系,认为通过控制制备条件可以得到绝热性能和力学性能满足MEMS热敏传感器结构性能要求的多孔硅.

热敏传感器、绝热层、多孔硅、绝热性能、力学性能

TN402(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金资助项目60071027,60371030

2008-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2008,(8)

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