PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究

摘要：

使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响.研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致.再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降.

关键词：Si(111)、ZnO薄膜、等离子增强化学气相沉积、反射光谱

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：江西省材料科学与工程中心资助项目ZX200401007;南昌航空大学博士科研启动基金EA200601184;江西省教育厅科研项目DB200501107

在线出版日期：2008-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75