单片集成MEMS三轴磁场传感器

摘要：

利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器.将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上,完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作.测试结果表明:在大气环境下,2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT,非线性度为0.436％.当其用于Z轴磁场测量时,其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γz,x为49.749 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γz,y为46.324 dB;在大气环境下,扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT,非线性度为0.49％.当其用于X轴磁场测量时,其对于Z轴的交叉轴抑制比γx,z为44. 687 dB,对Y 轴磁场的交叉轴抑制比γx,y为41. 138 dB.

关键词：三轴磁传感器、微机电系统、电磁感应、单片集成

所属期刊栏目：41

分类号：TN305;TP212(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金515777186

在线出版日期：2022-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68