10.13873/J.1000-9787(2022)07-0040-04
GaN HEMT射频等效电路建模研究
为了研究GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的射频特性,研究了GaN HEMT电路模型建模方法.综合分析了GaN HEMT器件的物理结构、非线性电容、陷阱效应、自热效应及噪声等特性,提出了一种GaN HEMT射频大信号等效电路模型拓扑.完成了直流及散射参数的拟合,建立Ids方程,通过仿真工具软件ADS2016的仿真结果与实测的10μm×90μm GaN HEMT功率器件的数据对比,验证了所建模型的有效性和准确性.
GaN高电子迁移率晶体管、电路模型、参数提取、散射参数
41
TN386(半导体技术)
2022-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
40-43