Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.13873/J.1000-9787(2022)07-0021-04

Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究

引用
针对微机电系统(MEMS)器件在实际应用中出现的真空封装可靠性低的问题,进行了Au-Al共晶键合实验研究.重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3 D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析.结果表明:当键合温度为300℃,Au层厚度为600 nm,Al层厚度为200 nm,采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳.

微机电系统、真空封装、Au-Al共晶键合、柯肯达尔效应、键合强度

41

TN305(半导体技术)

装备预研重点基金资助项目61409230704

2022-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

21-24

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

传感器与微系统

1000-9787

23-1537/TN

41

2022,41(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn