10.13873/J.1000-9787(2022)07-0021-04
Au-Al共晶键合在MEMS器件封装中应用的研究
针对微机电系统(MEMS)器件在实际应用中出现的真空封装可靠性低的问题,进行了Au-Al共晶键合实验研究.重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3 D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析.结果表明:当键合温度为300℃,Au层厚度为600 nm,Al层厚度为200 nm,采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳.
微机电系统、真空封装、Au-Al共晶键合、柯肯达尔效应、键合强度
41
TN305(半导体技术)
装备预研重点基金资助项目61409230704
2022-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
21-24