基于硅硅键合的电容式微超声波换能器设计与测试

摘要：

通过测试电容值的变化来分析电容式微超声波换能器(CMUT)的发射性能.介绍了CMUT的工艺过程,关键工艺为硅硅键合.利用硅硅键合工艺制作的CMUT误差小、工艺流程简单且能进行量产.利用E4990A阻抗分析仪测试CMUT电容值得到CMUT初始电容值为680 pF,阵列内电容值一致性良好,误差为0.62 pF,并对所设计的CMUT进行带宽测试,得出其在-6 dB时归一化带宽为200％,远远优于现有的传感器.

关键词：微机电系统、电容式微超声波换能器、工艺流程、带宽、ANSYS

所属期刊栏目：38

分类号：TB565.1(声学工程)

在线出版日期：2019-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：66-68