基于小信号S参数的MOSFET射频功率放大器设计

摘要：

介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器.在工作频段内,功率放大器增益大于23 dB,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 dB.实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值.

关键词：小信号、S参数、射频功率放大器、MOSFET

所属期刊栏目：36

分类号：TN722.7(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61571251,61501272;浙江省公益技术应用研究项目2015C34004

在线出版日期：2017-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：93-95