10.13873/J.1000-9787(2017)09-0032-02
聚酰亚胺MOSFET湿度传感器研究
将聚酰亚胺(PI)薄膜制作在金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极上,当环境湿度发生变化时,将引起PI吸湿量的变化,电容量改变,据此可制成湿度传感器件,测试结果显示:该湿度传感器具有明显的湿度敏感特性.
聚酰亚胺(PI)、湿度传感器、半导体平面工艺、扩展栅极结构、相对湿度
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G642(高等教育)
2015中央高校基本科研业务费本科生自主选题项目10561201511;华南理工大学第一批“探索性实验”教学项目X2dX-Y1140610
2017-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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