圆片级封装铝锗键合后残余应力的测量和分析

摘要：

以圆片级铝锗键合后的残余应力为研究对象，在键合环下方和周围制作了一系列形状相同的力敏电阻条，通过比较键合前后力敏电阻条的阻值变化，分析电阻条处残余应力的大小及与工艺相关性。结果表明：键合环内外的压阻变化约为键合环下方压阻变化的3倍。这种方法可以作为晶圆级键合质量的有效在线表征手段之一。

关键词：铝锗共晶键合、残余应力、力敏电阻

所属期刊栏目：35

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2016-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：40-42