高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器研制

摘要：

利用单辊快淬法制备了CoFeNiSiB非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能.以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 mT弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/mT,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力.

关键词：巨磁阻抗、磁传感器、钴基非晶条带、灵敏度

所属期刊栏目：35

分类号：TP212.1(自动化技术及设备)

在线出版日期：2016-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：84-86