基于JFET的低噪声感应式磁传感器设计

摘要：

在航空瞬变电磁(TEM)大深度测量时,由于飞行过程中共模噪声和天电噪声的引入,致使传统感应式磁传感器(IMS)探测灵敏度降低,无法满足地质探测深度的需要.为了增加IMS探测微弱磁场信号的能力,通过理论分析IMS的物理结构和前置放大电路的机理,研究了噪声引入的主要来源,建立了基于结型场效应晶体管(JFET)的IMS等效模型,设计了一种低噪声IMS.通过在屏蔽室内对所研制的IMS性能进行测试,结果表明:其输入噪声为2 nV/HzU2@10 kHz,3 dB响应带宽达到42 kHz,较3D-3磁传感器信噪比提高了10.04 dB,为其在实际项目应用提供了可靠的性能保障.

关键词：瞬变电磁、感应式磁传感器、结型场效应晶体管、低噪声

所属期刊栏目：33

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：国家“863”高技术研究发展计划支持项目2009AA03Z442

在线出版日期：2014-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：86-88,91