基于噪声消除技术的超宽带CMOS低噪声放大器设计

摘要：

为满足3.5 GHz单载波超宽带无线接收机的射频需求,设计了一种工作在3～4 GHz的超宽带低噪声放大器.电路采用差分输入的CMOS共栅级结构,利用MOS管跨导实现宽带输入匹配,利用电容交叉耦合结构和噪声消除技术降低噪声系数,同时提高电压增益.分析了该电路的设计原理和噪声系数,并在基于SMIC 0.18 μm CMOS射频工艺进行了设计仿真.仿真结果表明:在3～4 GHz频段内,Sn和S22均小于-10 dB,S21大于14dB,带内起伏小于0.5dB,噪声系数小于3dB；1.8V电源电压下,静态功耗7.8mW.满足超宽带无线接收机技术指标.

关键词：超宽带、低噪声放大器、噪声消除、电容交叉耦合

所属期刊栏目：30

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高科技研究发展计划资助项目2009AA011205;国家自然科学基金资助项目60928001,60972019;国家重大科技专项2009ZX03006-007-02:2010ZX03004-002-02

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：122-124,127