射频磁控溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌的影响

摘要：

采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si(100)基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜.实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响.Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势.薄膜的价电子浓度(e/a)变化较小.参考英国国家物理实验室数据中有关Ar气对不同元素溅射产额数据,对薄膜成分偏离进行理论分析.

关键词：射频磁控溅射、薄膜成分、薄膜形貌、价电子浓度

所属期刊栏目：30

分类号：O484.5(固体物理学)

资助基金：山西省自然科学基金资助项目2010011032-1;山西省研究生创新基金资助项目20093096;太原市大学生创新创业专题项目100115154

在线出版日期：2011-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：85-86,98