10.3969/j.issn.1000-9787.2010.10.016
电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究
多孔硅在微电子机械系统(MEMS)、生物等领域得到了广泛的研究,边缘效应是其进入应用的难题之一,边缘效应的存在会导致多孔硅薄膜机械强度的降低,进而影响整个多孔硅薄膜的一致性.在n型和P型2种硅晶片上,研究了电化学腐蚀中常见的多孔硅边缘效应,分析了边缘效应的产生机制,分别使用SU8光刻胶掩模法和边缘区域施加压力法对边缘效应进行了有效的抑制.并在不同类型的硅晶片上,使用压力法制备出了无边缘效应的宏孔多孔硅膜,P型多孔硅膜厚达到250μm.
边缘效应、电化学腐蚀、机械应力、SU8光刻胶
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O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金资助项目6086079,60772030
2011-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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