异面结构GaAs光导开关耐压特性研究

摘要：

光导开关用于产生高功率脉冲,提高光导开关的耐压能力可有效提高器件的输出功率.用SIL-VACO软件对共面和异面电极结构的GaAs光导开关进行了仿真分析,比较了两者的击穿电压,指出异面开关耐压性能优于共面开关.对设计制作的3 mm间隙宽度的GaAs光导开关进行了耐压特性试验,并结合模拟结果进行分析.模拟结果和试验结果表明:和共面电极结构相比,异面结构的光导开关具有更高的耐压能力,击穿电场可达7.67 kV/mm.

关键词：光导开关、异面开关、SILVACO模拟、耐压特性

所属期刊栏目：28

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：中国工程物理研究院科学技术基金资助项目20060434

在线出版日期：2009-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-17,21