10.3969/j.issn.1000-9787.2008.08.014
多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究
用低压化学气相淀积(LPCVD)法淀积了膜厚为60~250nm的多晶硅纳米薄膜,研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响.结合扫描电镜(SEM)图片,在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上,分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响.结果表明:重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性,电阻率温度系数可达到1×10-4~3×10-4/℃的水平.
多晶硅纳米薄膜、电学特性、掺杂浓度、膜厚
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O738(晶体物理)
国家自然科学基金资助项目60776049
2009-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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