10.3969/j.issn.1000-9787.2008.02.019
氮化硅薄膜传感器的平面加工工艺研究
介绍一种以氮化硅薄膜为压力敏感膜、多晶硅为电阻应变计的压力传感器.该压力传感器先后采用2种不同的平面加工工艺进行加工,实际结果表明:改进后的工艺比较好.通过采用对称分布在一个敏感膜上的4只多晶硅电阻应变计串联组成惠斯通电桥的一个桥臂,减少桥臂电阻的制作误差.制作传感器样品并对传感器的电压输出特性进行了测试.测试结果表明:恒流激励的传感器的电压输出特性非常好,传感器具有过载保护功能.
多晶硅、氮化硅、平面加工工艺、过载保护
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TP221(自动化技术及设备)
2008-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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