10.3969/j.issn.1000-9787.2006.07.005
钼掺杂降低TiO2氧敏薄膜最佳工作温度研究
用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜.并进行1100℃,2h的退火处理.配置钼酸铵溶液,利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间.取出后,进行500℃,3h退火处理.用气敏测试箱对制备出的TiO2薄膜的氧敏特性进行试验测试,发现对氧气有很好的敏感特性,比未经此项工艺处理的TiO2薄膜的最佳工作温度降低100℃,为300℃左右,并进行SEM测试,分析其表面结构,研究气敏机理.
TiO2薄膜、钼酸铵、最佳工作温度、氧敏特性
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TP212(自动化技术及设备)
2006-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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