10.3969/j.issn.1000-9787.2006.05.008
二极管阵列结构存储相关卷积器的理论分析
对瞬态模式二极管阵列结构的声表面波(SAW)存储相关卷积器进行了理论分析,建立了二极管阵列在瞬态模式下的充放电过程理论模型,分析和讨论了影响器件性能的主要因素,所得结论对这种器件结构的设计和优化具有参考价值.
瞬态模式、存储时间、二极管阵列
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TP333.5(计算技术、计算机技术)
中国科学院资助项目10574094
2006-06-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
25-27,30