10.3969/j.issn.1000-9787.2005.07.020
新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计
介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器.它由两对对称轴方向互相垂直的InSb-In磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性.经实测, 在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4~760Hz,其通频带内信噪比为30~32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn.同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线.
磁阻效应、薄膜、振动传感器、二维
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TP212(自动化技术及设备)
广东省自然科学基金031515;广东省科技攻关项目2002A1060204
2005-08-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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