10.3969/j.issn.1000-9787.2003.03.001
In2O3基气体传感器研究现状
氧化铟作为一种新的气敏材料,有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题.因此,按照被检测气体的种类,从In2O3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有性能较好的In2O3气体传感器进行了评述,并指出了In2O3基半导体气体传感器的发展方向.
三氧化二铟、气敏材料、气体传感器
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TP212;TN304(自动化技术及设备)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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