10.3969/j.issn.1000-9787.2001.02.001
SiC薄膜高温压力传感器
SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长3C-SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
压力传感器、高温、碳化硅、薄膜
20
TQ127.1+2;TP212
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1-3
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1000-9787.2001.02.001
压力传感器、高温、碳化硅、薄膜
20
TQ127.1+2;TP212
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1-3
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn