10.3969/j.issn.1000-9787.1999.01.005
射频溅射Sn薄膜的工艺研究
采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Sn膜形成过程的影响,得到了射频溅射制备Sn膜新工艺的最佳条件.X-射线衍射及SEM实验结果表明在该工艺条件下得到的Sn膜为非常细小均匀的β-Sn的晶体结构.
射频溅射、Sn膜、工艺
18
TM93;TP2
国家自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
7-9
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10.3969/j.issn.1000-9787.1999.01.005
射频溅射、Sn膜、工艺
18
TM93;TP2
国家自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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