射频溅射Sn薄膜的工艺研究
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10.3969/j.issn.1000-9787.1999.01.005

射频溅射Sn薄膜的工艺研究

引用
采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Sn膜形成过程的影响,得到了射频溅射制备Sn膜新工艺的最佳条件.X-射线衍射及SEM实验结果表明在该工艺条件下得到的Sn膜为非常细小均匀的β-Sn的晶体结构.

射频溅射、Sn膜、工艺

18

TM93;TP2

国家自然科学基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

7-9

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1000-9787

23-1537/TN

18

1999,18(1)

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