1064nm连续激光辐照硅基APD探测器热效应损伤的研究

摘要：

通过设计合理的实验方案,研究了1 064 nm连续激光照射硅基APD探测器热效应对输出电流特性的变化规律.实验研究了硅基APD探测器在不同偏置电压、不同功率密度、不同作用时间条件下,其表面温度以及输出电流的变化规律.发现随着激光功率密度的增大,硅基APD探测器的表面温度逐渐升高,输出电流的恢复时间逐渐增大.说明硅基APD探测器的温度在激光作用过程中会影响硅基APD探测器输出电流的变化,并对输出电流的影响机理给出了合理的解释.

关键词：硅基APD探测器、1064 nm连续激光、热效应、输出电流

所属期刊栏目：46

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省教育厅科学技术项目JJKH20200731KJ

在线出版日期：2023-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：11-16